刻機的波長越小，就代表着源越細，刻電路也會越細，芯片的技製程才能推進一大步。

“目前，行業一共有兩種技路線，尼康、佳能這些老牌公司，主張使用157納米的氟氣準分子激作為源，全新的EUV LLC聯盟主張使用極紫外激技，也就是EUV源，直接把技路線迭代到十納米以下。但是......”

這兩種技路線，都有嚴重缺陷！

波長越短的，越容易被吸收！157納米的源，會被大多數材料強烈吸收，以至於無法到達芯片上！只有二氟化鈣研磨的鏡頭可以勉強使用，但是這種材料做學鏡頭，質量太差，壽命也短。

至於EUV源，那就不用折原理了，直接加反鏡片，解決了鏡吸收源的問題，但是，這種刻機屬於全新的產品，研發很難，而且，極紫外的產生很困難，需要耗費大量的電力。

兩種技路線，都有很大的問題，接下來用什麼技路線，非常關鍵！

“嗯，我們開闢新的賽道。”秦川說道：“我們在ArF刻機的基礎上，鏡頭和源之間加一層水，通過水的折作用，把193納米源降低到134納米。”

什麼？

徐教授驚呆了，倪老也驚呆了。

這不是開玩笑嗎？在的刻機鏡頭上，加一層水？

萬一這層水要是了，豈不是會讓刻機壞掉？萬一水裡有一個氣泡，豈不是會改變線的路徑，從而導致整個硅片都報廢？