將atlce探測的原始實驗數據給陳正平去理後，徐川馬不停蹄的趕回了魔都。

核能項目第二階段的半導材料研發已經到了關鍵節點，他得回去主持大局，加快速度做出來。

畢竟現在已經到了農曆十二月中旬，再有幾天的時間就過小年了。

等過完小年，實驗室也差不多就該放年假了。

......

魔都，科學院原子核研究所中，徐川帶着白的聚酯手套，控着眼前的離子注機將設備中的金屬離子材料的送了ald氣相沉積儀中。

這是製造半導材料中很關鍵的一步，為半導基底注雜質。

當然，這個雜質並非我們傳統概念中的雜質，它有些類似於我們手機中使用的半導硅基芯片。

眾所周知，半導是指常溫下導電能介於導與絕緣之間的材料。

它的導電可控，容易到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。

往裡面摻雜磷、砷、鎵等不同電阻的材料可以讓其形np極，作為控制電荷開關的門。

這是半導材料的核心基礎。

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