二百名被培訓的助理半導技師，與公司簽訂勞合同，工作滿十年才能離開ttfab。

東芝半導公司也不會不認真，這關係到ttfab的製程工藝和良品率。

這個年代，一億八千萬元的投資對東芝半導設備公司也不是小數目。

這就是中日合資公司的好！

東芝半導設備公司生產的六英寸晶圓、1u藝製程生產線上的十五台刻機採用尼康半導設備公司生產的，孫健看見後，頓時想起前世的刻機霸主as。

自打與東芝半導設備公司立合資公司，一個多月的時間，孫健在滬海國智通訊半導研究所的資料室，惡補了一番刻機半導產業鏈的知識。

半導產業鏈主要包括ic設計、晶圓製造、封裝和測試等環節，前工序以電路設計與晶圓加工為主，在硅片等介質上設計與製作ic；後工序以分割載有集電路的晶圓片為起點，經過切割、封裝和測試等工序，製ic產品。

刻、刻蝕、薄沉積等三大設備為推ic先進工藝發展的主要力量，佔半導晶圓理設備的65%。

為了提高芯片生產工藝和一小時單位產能（wph），一家晶圓廠（fab）在一條先進的半導生產線上一般配備二十台左右的刻機，並且是高低搭配，除了最下面的晶管層需要最先進的刻機之外，上面做銅互聯技的無需最先進的刻機。

半導生產線中，硅片的清洗、氧化加、清洗、塗膠、烘乾、刻、顯影洗膠、刻蝕、去膠、離子注與擴散、清洗、薄、化學機械研磨等，工藝複雜，工序較多，其中部分工序循環進行數十次，除了佔到半導生產線本三分之一的刻機外，還需要清洗設備、高溫/氧化爐管退火設備、勻膠機、烘乾設備、顯影設備、刻蝕機、去膠機、離子注設備、cvd/pvd/ald/pecvd/c等大批高尖設備，數量最多的是沉積設備（包括pvdcvd）、刻蝕設備（icpp、die）和熱理設備（rtp）。

東芝半導設備公司生產的半導生產線有七的高端設備從其他廠家定購，然後系統集。

刻定義了晶管尺寸，刻工藝是ic製造中最關鍵、最複雜和佔用時間比最大的步驟，是ic生產中的最核心工藝，占晶圓製造耗時的50%左右。

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